Описание
Стартап на базе FPGA бросает вызов Nvidia благодаря эффективному использованию памяти
12.03.2025
PQMD12Z datasheet
Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)
-
МаркировкаPQMD12Z
-
ПроизводительNXP Semiconductors
-
ОписаниеNXP Semiconductors PQMD12Z RoHS: yes Transistor Polarity: NPN/PNP Collector- Base Voltage VCBO: 50 V Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 50 V Emitter- Base Voltage VEBO: 10 V Collector-Emitter Saturation Voltage: 50 V Maximum DC Collector Current: 100 mA Gain Bandwidth Product fT: 230 MHz Maximum Operating Temperature: + 150 C Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: DFN1010B-6 Brand: NXP Semiconductors Continuous Collector Current: 100 mA DC Collector/Base Gain hfe Min: 80 Maximum Power Dissipation: 230 mW Minimum Operating Temperature: - 55 C Factory Pack Quantity: 5000
-
Количество страниц13 шт.
-
ФорматPDF
-
Размер файла195,88 KB
PQMD12Z datasheet скачать
Новости электроники
Стартап на базе FPGA бросает вызов Nvidia благодаря эффективному использованию памяти
Возникающие проблемы в тестировании беспроводных коммуникаций
11.03.2025
Развитие 5G RF-дизайна: сочетание гибридного соединения и RFSOI для модулей фронтального тракта следующего...
11.03.2025
